Structure of the interlayer between Au thin film and Si-substrate: Molecular Dynamics simulations - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Structure of the interlayer between Au thin film and Si-substrate: Molecular Dynamics simulations

Abstrakt

Interaction between 2, 3, 5 and 7 atomic layers of gold and a (111) silicon surface was investigated with the molecular dynamics simulation method. The simulation of the diffusion interaction between gold and silicon in the temperature range 425-925 K has been carried out. The peculiarities of the concentration changes of the interacting components and the atomic density at the boundary of two phases in the direction perpendicular to the crystalline surface were established. By means the formalism of quasi two dimensional partial pair correlation functions the atomic structure of the diffusion region was analyzed. The formation of the alloy of eutectic composition within the gold-silicon interlayer was established. It was shown that the inter-phase mixing in various temperature intervals occurred according to different diffusion mechanisms

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Cytuj jako

Pełna treść

pobierz publikację
pobrano 6 razy
Wersja publikacji
Accepted albo Published Version
Licencja
Creative Commons: CC-BY otwiera się w nowej karcie

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach
Opublikowano w:
Materials Research Express nr 7, strony 1 - 16,
ISSN: 2053-1591
Język:
angielski
Rok wydania:
2020
Opis bibliograficzny:
Plechystyy V., Shtablavyi I., Winczewski S., Rybacki K., Mudry S., Rybicki J.: Structure of the interlayer between Au thin film and Si-substrate: Molecular Dynamics simulations// Materials Research Express -Vol. 7,iss. 2 (2020), s.1-16
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1088/2053-1591
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 13 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi