Wyszukiwarka
Abstrakt
Przedstawiono rezultat wstępnych prac nad modelem IGBT przydatnym do symulacji wymagających odwzorowania stanów dynamicznych tranzystora. Zrezygnowano z metody potencjałów węzłowych na rzecz metody zmiennych stanu. Sprawdzono zachowanie klasycznego modelu z nieliniowymi pojemnościami zaciskowymi, których charakterystyki dobrano na podstawie danych katalogowych. Przedstawiono przykład rozszerzenia modelu.
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2005
- Opis bibliograficzny:
- Iwan K., Turzyński M., Chrzan P.: Szerokopasmowy model uogólnionego łącznika energoelektronicznego // / : , 2005,
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 109 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Komputerowe wspomaganie diagnostyki układu oddechowego człowieka
- R. Kalicka,
- W. Słomiński,
- K. Kuziemski
2007