The behavioural model of graphene field-effect transistor - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

The behavioural model of graphene field-effect transistor

Abstrakt

The behavioural model of a graphene field-effect transistor (GFET) is proposed. In this approach the GFET element is treated as a “black box” with only external terminals available and without considering the physical phenomena directly. The presented circuit model was constructed to reflect steady-states characteristics taking also into account GFET capacitances. The authors’ model is defined by a relatively small number of equations which are not nested and all the parameters can be easily extracted. It was demonstrated that the proposed model allows to simulate the steady-state characteristics with the accuracy approximately as high as in the case of the physical model. The presented compact GFET model can be used for circuit or system-level simulations in the future.

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Cytuj jako

Pełna treść

pobierz publikację
pobrano 35 razy
Wersja publikacji
Accepted albo Published Version
Licencja
Creative Commons: CC-BY otwiera się w nowej karcie

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach
Opublikowano w:
International Journal of Electronics and Telecommunications nr 66, strony 753 - 758,
ISSN: 2081-8491
Język:
angielski
Rok wydania:
2020
Opis bibliograficzny:
Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D.: The behavioural model of graphene field-effect transistor// International Journal of Electronics and Telecommunications -Vol. 66,iss. 4 (2020), s.753-758
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.24425/ijet.2020.134037
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 55 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi