Wyszukiwarka
Abstrakt
The behavioural model of a graphene field-effect transistor (GFET) is proposed. In this approach the GFET element is treated as a “black box” with only external terminals available and without considering the physical phenomena directly. The presented circuit model was constructed to reflect steady-states characteristics taking also into account GFET capacitances. The authors’ model is defined by a relatively small number of equations which are not nested and all the parameters can be easily extracted. It was demonstrated that the proposed model allows to simulate the steady-state characteristics with the accuracy approximately as high as in the case of the physical model. The presented compact GFET model can be used for circuit or system-level simulations in the future.
Cytowania
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
0
Scopus
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach
- Opublikowano w:
-
International Journal of Electronics and Telecommunications
nr 66,
strony 753 - 758,
ISSN: 2081-8491 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2020
- Opis bibliograficzny:
- Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D.: The behavioural model of graphene field-effect transistor// International Journal of Electronics and Telecommunications -Vol. 66,iss. 4 (2020), s.753-758
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.24425/ijet.2020.134037
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 123 razy