Wyszukiwarka
Abstrakt
Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz laboratoryjnych opracowanego na Politechnice Gdańskiej dwustopniowego układu sterowania bramkowego ze sprzężeniem typu DC dla tranzystorów SiC JFET 1,2kV typu normally-off. dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.
Autorzy (5)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Opublikowano w:
-
Przegląd Elektrotechniczny
strony 1 - 6,
ISSN: 0033-2097 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2012
- Opis bibliograficzny:
- Adamowicz M., Pietryka J., Giziewski S., Rutkowski M., Krzemiński Z.: Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia // Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 4b (2012), s.1-6
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 153 razy