Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

Abstrakt

Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz laboratoryjnych opracowanego na Politechnice Gdańskiej dwustopniowego układu sterowania bramkowego ze sprzężeniem typu DC dla tranzystorów SiC JFET 1,2kV typu normally-off. dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:
Przegląd Elektrotechniczny strony 1 - 6,
ISSN: 0033-2097
Język:
polski
Rok wydania:
2012
Opis bibliograficzny:
Adamowicz M., Pietryka J., Giziewski S., Rutkowski M., Krzemiński Z.: Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia // Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 4b (2012), s.1-6
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 107 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi