Wyszukiwarka
Abstrakt
The general wideband modeling method of the power converter is presented on the example of DC-DC buck converter with GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT). The models of all basic and parasitic components are briefly described. The two methods of Printed Circuit Board (PCB) layout parameter extraction are presented. The results of simulation in Saber@Sketch simulation software and measurements are compared. Next, the model of the converter is reduced to obtain one lumped inductance of the input filter PCB for the analytical prediction of transistor turn-off ringing frequency and overvoltage. The practical use of the model is presented for sizing optimal capacitance of snubber.
Cytowania
-
2
CrossRef
-
0
Web of Science
-
3
Scopus
Autorzy (3)
Cytuj jako
Pełna treść
pobierz publikację
pobrano 90 razy
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.3390/en14154430
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach
- Opublikowano w:
-
ENERGIES
nr 14,
ISSN: 1996-1073 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2021
- Opis bibliograficzny:
- Musznicki P., Derkacz P. B., Chrzan P.: Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors// ENERGIES -Vol. 14,iss. 15 (2021), s.4430-
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.3390/en14154430
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 134 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Accurate modeling of layout parasitic to forecast EMI emitted from a DC-DC converter.
- P. Musznicki,
- J. Schanen,
- B. Allard
- + 1 autorów
2004