Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego
Abstrakt
W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/µs powoduje problemy EMC oraz EMI. Wysokoczęstotliwościowe przekształtniki z tranzystorami SiC JFET dają nowe możliwości regulacji układów z silnikami wysokoobrotowymi (100 tys. obr./min.), co potwierdzają przedstawione wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych generacji napięcia o częstotliwości podstawowej harmonicznej 1500Hz.
Autor (1)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Tytuł wydania:
- Ogólnopolska konferencja Naukowo-Techniczna Modelowanie, Symulacja i Zastosowania w Technice, MSiZwT 2012, Kościelisko, 18-22 czerwca 2012 strony 23 - 26
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2012
- Opis bibliograficzny:
- Giziewski S.: Wysokoczęstotliwościowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET do zasilania silnika wysokoobrotowego// Ogólnopolska konferencja Naukowo-Techniczna Modelowanie, Symulacja i Zastosowania w Technice, MSiZwT 2012, Kościelisko, 18-22 czerwca 2012/ ed. Wydzial Elektryczny Politechnika Warszawska. : , 2012, s.23-26
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 169 razy