Wyszukiwarka
Nie znaleźliśmy wyników w zadanych kryteriach!
Ale mamy wyniki w innych katalogach.Filtry
wszystkich: 14
Wyniki wyszukiwania dla: SCHEMAT ZASTĘPCZY
-
Schemat zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego aplikatora plazmowego typu rezonator wnękowy
PublikacjaMikrofalowe aplikatory plazmowe wykorzystuje się między innymi do obróbki gazów, w tym do produkcji wodoru poprzez reforming węglowodorów. Omówiony aplikator plazmowy pracuje przy częstotliwości 2,45 GHz. Wyładowanie mikrofalowe powstaje w tym aplikatorze pod ciśnieniem atmosferycznym. Głównym elementem konstrukcyjnym aplikatora jest falowód o obniżonej wysokości, w którym zamontowano dwie elektrody w postaci prętów. Dość dobra...
-
Schemat zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze współosiowej zasilanego falowodem
PublikacjaW artykule przedstawiono schemat zastępczy oraz charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze współosiowej stosowanego w laboratorium do produkcji wodoru. Pomimo tego, że układ zastępczy dotyczy konkretnego generatora plazmy to jednak ma on cechy pozwalające na uogólnione stosowanie w podobnych typach generatorów
-
Schemat zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze cylindrycznej zasilanego falowodem
PublikacjaW artykule przedstawiono schemat zastępczy oraz charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego generatora plazmy o strukturze cylindrycznej zasilanego falowodem standardowym WR 430 i pracującym przy częstotliwości 2,45 GHz. Generator ten jest stosowany w laboratorium do produkcji wodoru poprzez reforming węglowodorów.
-
Układ zastępczy i charakterystyki elektrodynamiczne mikrofalowego aplikatora plazmowego typu rezonator wnękowy (915 MHz)
PublikacjaMikrofalowe aplikatory plazmowe wykorzystuje się m.in. do obróbki gazów, w tym do produkcji wodoru poprzez reforming węglowodorów. W pracy przedstawiono elektryczny schemat zastępczy o stałych skupionych mikrofalowego aplikatora typu rezonator wnękowy, wykonanego z odcinka falowodu prostokątnego WR 975. Omówiony aplikator plazmowy pracuje przy częstotliwości 915 MHz. Wyładowanie mikrofalowe powstaje w tym aplikatorze pod ciśnieniem...
-
Modelling of mutual coupling in microstrip antenna arrays fed by microstrip line.
PublikacjaPrzedstawiono wyniki modelowania sprzężenia pomiędzy prostokątnymi radiatorami mikropaskowymi w szyku liniowym anten zasilanych przez linie mikropaskowe. Zaproponowano schemat zastępczy sprzężenia w postaci kombinacji linii transmisyjnych wraz z sękami zwartymi i rozwartymi. Pokazano, że schemat taki dobrze modeluje sprzężenie w wąskim pasmie częstotliwości ok. 4%. Wyniki modelowania sprawdzono eksperymentalnie poprzez pomiary...
-
Modelling of mutual coupling in microstrip antenna arrays fed by microstrip line. Modelowanie sprzężenia w szykach anten mikropaskowych zasilanych przez linie mikropaskowe.
PublikacjaPrzedstawiono wyniki modelowania sprzężenia pomiędzy prostokątnymi radiatorami mikropaskowymi w szyku liniowym anten zasilanych przez linie mikropaskowe. Zaproponowano schemat zastępczy sprzężenia w postaci kombinacji linii transmisyjnych wraz z sękami zwartymi i rozwartymi. Pokazano, że schemat taki dobrze modeluje sprzężenie w wąskim pasmie częstotliwości ok. 4%. Wyniki modelowania sprawdzono eksperymentalnie poprzez pomiary...
-
Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki zastosowania metody sympleksu Neldera-Meada do ekstrakcji wartości parametrów niequasi-stycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS. Przedstawiono równoważny elektryczny schemat zastępczy i model matematyczny nowego modelu małosygnałowego MOSFETa dla częstotliwości mikrofalowych. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
High-performance analog circuits : bipolar noise
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w tranzystorach bipolarnych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS),lawinowe. Przedstawiono szumowy schemat zastępczy tranzystora bipolarnego oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Przytoczono informacje o zastępczej rezystancji tranzystora szumów oraz współczynniku szumów.
-
Pomiary impendancji w warunkach ekstremalnych
PublikacjaW artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru impedancji w warunkach ekstremalnych. Jako takie należy rozumieć bardzo niskie lub bardzo wysokie wartości modułu impedancji, dużą dysproporcję składowych impedancji lub złożony schemat zastępczy, w którym wpływ elementów poszukiwanych jest maskowany przez inne pasożytnicze elementy. Omówiono rozwiązania sprzętowe jak też metody i algorytmy pomiarowe.
-
Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.
PublikacjaZaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości...