Wyniki wyszukiwania dla: HETEROEPITAXY

• Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures

  Publikacja

  • A. Zdyb
  • J. M. Olchowik
  • D. Szymczuk
  • J. Mucha
  • K. Zabielski
  • M. Mucha
  • W. Sadowski

  - CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY - Rok 2002

  Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.