Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 6
Wyniki wyszukiwania dla: SZUMY MAŁOCZESTOTLIWOŚCIOWE
-
Systemy do pomiaru szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych w zakresie małych częstotliwości
PublikacjaPrzedstawiono schemat blokowy systemu do pomiaru szumów z zakresu małych częstotliwości przyrządów półprzewodnikowych. Opisano najważniejsze podzespoły takiego systemu oraz ich wpływ na wyniki pomiaru szumów.
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublikacjaPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.
-
Ocena niezawodności elementów półprzewodnikowych.
PublikacjaOmówiono metody oceny niezawodności elementów półprzewodnikowych, w szczególności w oparciu o badania przyspieszone. Badania te powiązano ściśle z procesem technologii wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Szerzej omówiono przyczyny uszkodzeń elementów półprzewodnikowych. Przedstawiono predykcję niezawodności opartą na badaniach przyspieszonych. Wskazano na coraz szersze zainteresowanie badaniami niezawodności na...
-
Factors determining the production testing of high reliability interference supressor capacitors.
PublikacjaPrzyjęto nieliniowości i właściwości szumowe kondensatora jako kryteria selekcji kondensatorów przeciwzakłóceniowych na klasy o zróżnicowanej niezawodności. Poprawia to proces oceny jakości kondensatorów o podwyższonej niezawodności. Przedstawiono zastosowanie technik pomiaru nieliniowości i szumów w systemie do produkcyjnego testowania kondensatorów przeciwzakłóceniowych o podwyższonej niezawodności. Przytoczono wybrane wyniki...
-
A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.
PublikacjaPrzedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
-
Low frequency noise and reliability properties of 0.12um CMOS devices with Ta2O5 as gate dielectrics
PublikacjaW artykule przedstawiono wyniki badań jakości tranzystorów CMOS 0.12um z Ta2O5 użytym jako dielektryk bramki. Przedstawione są charakterystyki statyczne elementów oraz wyniki pomiarów szumów prowadzonych w celu określenia jakości warstwy dielektrycznej Ta2O5, a także wyniki badań przeciążeniowych elementów.