Wyniki wyszukiwania dla: tranzystor polowy

• A current-controlled FET

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2007

  A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...

• Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.

  Publikacja

  • E. Metel
  • G. Jarosz

  - Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź - Rok 2006

  W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...

• A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2013

  A quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • T. Stefański

  - Rok 2003

  Zaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.