Nie znaleźliśmy wyników w zadanych kryteriach!
Ale mamy wyniki w innych katalogach.Filtry
wszystkich: 673
-
Katalog
- Publikacje 574 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 14 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 9 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 16 wyników po odfiltrowaniu
- Laboratoria 1 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 1 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 33 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 1 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 24 wyników po odfiltrowaniu
Wyniki wyszukiwania dla: 2d semiconductors
-
Surface Properties and Photocatalytic Activity of KTaO3, CdS, MoS2 Semiconductors and Their Binary and Ternary Semiconductor Composites
Publikacja -
Surface properties and photocatalytic activity of KTaO3, CdS, MoS2 semiconductors and their binary and ternary semiconductor composites
PublikacjaSingle semiconductors such as KTaO3, CdS MoS2 or their precursor solutions were combined to form novel binary and ternary semiconductor nanocomposites by the calcination or by the hydro/solvothermal mixed solutions methods, respectively. The aim of this work was to study the influence of preparation method as well as type and amount of the composite components on the surface properties and photocatalytic activity of the new semiconducting...
-
2D Materials
Czasopisma -
SEMICONDUCTORS+
Czasopisma -
A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation
PublikacjaA quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...
-
Journal of Semiconductors
Czasopisma -
Semiconductors and Semimetals
Czasopisma -
Mobility measurements in oxide semiconductors
PublikacjaPraca zawiera wyniki badań właściwości elektrycznych, optycznych i strukturalnych cienkich warstw ito i sno2. badania wykazały, że cienkie warstwy tlenków metali wykazują rezystywność charakterystyczną dla półprzewodników. poziom transmisji światła w zakresie widzialnym pozwala zaliczyć badane warstwy do materiałów przezroczystych. badane cienkie warstwy wykonano metodą rozpylania magnetronowego.
-
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Czasopisma -
Noise in semiconductor devices
PublikacjaOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.