A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.

Wiesław Kordalski; Tomasz Stefański

A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces.

Abstract

Zaprezentowano nowy, spójny fizycznie nie-quasi-statyczny model małosygnałowy tranzystora MOS słuszny od 0 Hz aż do częstotliwości mikrofalowych. Scharakteryzowano właściwości nowego czterokońcówkowego modelu. Model został zweryfikowany eksperymentalnie aż do częstotliwości 27 GHz.

Authors (2)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Faculty of Electrical and Control Engineering
- Gdańsk University of Technology
Tomasz Stefański dr hab. inż.
- Faculty of Electrical and Control Engineering
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:: English
Publication year:: 2003
Bibliographic description:: Kordalski W., Stefański T.: A non-quasi-static-signal MOSFET model for radio and microware frequencies including spreading gate resistances and capacitaces. // / : , 2003,
Verified by:: Gdańsk University of Technology