Search
Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems
Abstract
W referacie przedstawiono rezultaty prac nad modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania zarówno stanów ustalonych jak i dynamicznych przy przełączaniu. Rozważono behawioralny model IGBT o reprezentacji za pomocą równań stanu przy wykorzystaniu katalogowych charakterystyk statycznych oraz nieliniowych aproksymacji pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu IGBT typu BUP203 wykonano w układzie przerywacza z pojedynczym tranzystorem.
Authors (2)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Title of issue:
- VIII Międznarodowe Warsztaty Doktoranckie OWD`2006 : pod patronatem Dziekanów Wydziałów Elektrycznych, Elektroniki i Informatyki, IET - The Institution of Engineering and Technology. Vol. 2 strony 241 - 246
- Language:
- Polish
- Publication year:
- 2006
- Bibliographic description:
- Turzyński M., Chrzan P.: Behawioralne modelowanie i symulacja tranzystorów IGBT w układach energoelektronicznych = Behavioural modeling and simulation of IGBT transistors in power electronics systems// VIII Międznarodowe Warsztaty Doktoranckie OWD`2006 : pod patronatem Dziekanów Wydziałów Elektrycznych, Elektroniki i Informatyki, IET - The Institution of Engineering and Technology. Vol. 2/ ed. org. Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretucznej i Stosowanej Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej w Gliwicach (et al.). [Gliwice: Komitet Organizacyjny Sympozjum PPEE i Seminarium BSE], 2006, s.241-246
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 127 times