Abstract
Zaprezentowano nowy model stałoprądowy tranzystora MOS i kompatybilny z nim uogólniony nie-quasi-statyczny model małosygnałowy. Model stałoprądowy został eksperymentalnie zweryfikowany dla tranzystorów MOS o długości kanału od 75 nm do kilkunastu mikrometrów, a model małosygnałowy od zera herców do 30 GHz.
Authors (2)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Language:
- English
- Publication year:
- 2005
- Bibliographic description:
- Kordalski W., Stefański T.: Compatible DC and small-signal MOSFET models for radio and microwave frequency simulation// / : , 2005,
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 109 times