Determination of the width of the carrier recombination zone in organiclight emitting diodes.

Jan Kalinowski; L.c. Palilis; W.h. Kim; Zakya H. Kafafi

Determination of the width of the carrier recombination zone in organiclight emitting diodes.

Abstract

W pracy mierzono kwantową wydajność elektroluminescencji w diodach dwuwarstwowych z różną grubością emitera w postaci warstwy hydroksychinolinowego kompleksu aluminium (Alq3). Stwierdzono, że szerokość strefy rekombinacji ładunku maleje ze wzrostem natężenia pola elektrycznego od 70 nm(dla E=0.75MV/cm do 40 nm (dla E=1.MV/cm).

Authors (4)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Published in:: EUROPEAN JOURNAL OF APPLIED PHYSIOLOGY
ISSN: 1439-6319
Language:: English
Publication year:: 2003
Bibliographic description:: Kalinowski J., Palilis L., Kim W., Kafafi Z.: Determination of the width of the carrier recombination zone in organiclight emitting diodes. // EUROPEAN JOURNAL OF APPLIED PHYSIOLOGY. -., (2003),
Verified by:: Gdańsk University of Technology