InGaN trapered laser diodes

Szymon Stanczyk; Anna Kafar

InGaN trapered laser diodes

Abstract

W pracy zaprezentowano rezultaty badan nad diodami laserowymi InGaN ze zwężającym się kanałem. Kąty kanałów zmieniane były w zakresie 2 -5 stopni, jak również zmieniana była długość kanału. Wykazano, że w przypadku optymalnych parametrów, parametr M2 (M kwadrat) opisujący odtępstwa wiązki od krzywej Gaussa, wynosił 2.1 przy mocy optycznej 200 mW.

Authors (2)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

full content of the article see on external site open in new tab

Keywords

LASER DIODE

Details

Category:: Articles
Type:: artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Published in:: ELECTRONICS LETTERS no. 48, pages 1232 - 1234,
ISSN: 0013-5194
Language:: English
Publication year:: 2012
Bibliographic description:: Stanczyk S., Kafar A.: InGaN trapered laser diodes// ELECTRONICS LETTERS. -Vol. 48, nr. iss. 19 (2012), s.1232-1234
Verified by:: Gdańsk University of Technology