Search
Abstract
W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 m. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Ǻ/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktancję kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyaniny cynku.
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
no. 26,
pages 69 - 74,
ISSN: 1505-1013 - Language:
- English
- Publication year:
- 2006
- Bibliographic description:
- Metel E., Jarosz G.: Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.// SCIENTIFIC BULLETIN OF THE TECHNICAL UNIVERSITY OF ŁÓDŻ, PHYSICS. -Vol. 26., nr. Spec. iss. No 987 (2006), s.69-74
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 115 times