Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.

Wiesław Kordalski; Arkadiusz Mika

Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.

Abstract

Zaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości i długości kanału tranzystora.

Authors (2)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:: Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne no. T. 16, pages 507 - 512,
ISSN: 1732-1166
Language:: Polish
Publication year:: 2008
Bibliographic description:: Kordalski W., Mika A.: Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.507-512
Verified by:: Gdańsk University of Technology