Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników. - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.

Abstract

Zaproponowano nowy małosygnałowy model wysokoczęstotliwościowy tranzystora MOS oraz przedstawiono wyniki jego weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości aż do 30 GHz.

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Conference activity
Type:
publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:
Polish
Publication year:
2004
Bibliographic description:
Kordalski W., Stefański T.: Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.// / : , 2004,
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 253 times

Recommended for you

Meta Tags