Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (3)
Search results for: KOREKTA ŚCINANIA
-
Katedra Inżynierii Chemicznej i Procesowej
Research Potential* Inżynieria chemiczna i bioprocesowa dla zastosowań w energii odnawialnej * Konstrukcja nowoczesnych rozwiązań do rozdzielania, kontroli i analityki procesowej o kontroli jakości * Otrzymywanie nowych sorbentów i faz stacjonarnych dla procesów rozdzielania w skali od laboratoryjnej do procesowej * Oczyszczanie ścieków przemysłowych z wykorzystaniem zaawansowanych procesów utleniania * Oczyszczanie ścieków przemysłowych z wykorzystaniem...
-
Zespół Katedry Technicznych Podstaw Projektowania Architektonicznego
Research PotentialWażną częścią działalności Katedry Technicznych Podstaw Projektowania Architektonicznego są zagadnienia konstrukcji, statyki budowli, akustyki, technologii fasad kinetycznych i filtrujących, w szerokim zakresie wspierane technikami komputerowymi i modułami rozwiązań praktycznych odpowiadających współczesnym wyzwaniom i potrzebom . Program Katedry obejmuje rozwiązywanie coraz bardziej złożonych problemów projektowo- konstrukcyjnych...
-
Katedra Inżynierii Sanitarnej
Research PotentialKatedra realizuje swoje zadania badawcze w takim zakresie jak opracowywanie metody podczyszczania lub oczyszczania ścieków przemysłowych oraz ich pomiary. Drugą gałęzią zainteresowań są modele matematyczne i symulacje procesów oczyszczania ścieków i zagospodarowania osadów, opracowywanie symulacji strategii eksploatacyjnych i działań modernizacyjnych.
Other results Pokaż wszystkie wyniki (1)
Search results for: KOREKTA ŚCINANIA
-
Analiza płyt laminowanych z zastosowaniem zastępczych modeli jednowarstwowych
PublicationW pracy przedstawiono analizę porównawczą wybranych modeli obliczeniowych płyt warstwowych, zgodnych z koncepcjš zastępczego modelu jednowarstwowego (Equivalent Single Layer - ESL). Rozważono trzy modele bazujące na teorii ścinania pierwszego rzędu: dwa modele autorskie oraz model paneli laminowanych dostępny w systemie MSC/NASTRAN. Zróżnicowanie modeli wynika z odmiennego podejścia do tzw. korekty ścinania. Przeprowadzono obliczenia...