Filters
total: 131
Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (101)
Search results for: OPEN VSWITCH
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Research Potential* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
-
Zespół Sieci Teleinformacyjnych
Research PotentialDzisiejsza telekomunikacja przechodzi bardzo szybkie i radykalne zmiany wynikające nie tylko z szybkiego postępu technologicznego ale też z potrzeb społeczeństwa informacyjnego. Informacja stała się dobrem, które ma istotny wpływ na kierunek i szybkość zmian kulturowych i materialnych w globalizującym się świecie. Zatem wyzwania, jakie stoją przed telekomunikacją, a tym samym wobec każdego, kto zajmuje się i planuje działać w tym...
-
Zespół Katedry Konstrukcji Maszyn i Pojazdów
Research Potential* Badania własności smarów i cieczy technicznych * Badania tarcia i zużycia elementów maszyn - dobór materiałów na współpracu-jące elementy, dobór środków smarowych, dobór alternatywnych materiałów umożliwiających pracę bez smarowania lub przy smarowaniu wodą * Badania diagnostyczne maszyn i urządzeń, badania trwałości i niezawodności * Projektowanie i optymalizacja konstrukcji nietypowych maszyn i urządzeń * Projektowanie urządzeń...
Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (30)
Search results for: OPEN VSWITCH
-
Laboratorium Automatyki Napędu Elektrycznego
Business OfferProgramowalne układy napędowe zasilane przekształtnikowo ze sterowaniem mikroprocesorowym
-
Brain and Mind Electrophysiology lab
Business OfferNeurofizjologia pamięci i funkcji poznawczych mózgu
-
Laboratorium Wysokich Napięć
Business OfferBadania układów probierczych i pomiarowych stosowanych w technice wysokiego napięcia
Other results Pokaż wszystkie wyniki (1677)
Search results for: OPEN VSWITCH
-
Open Engineering
Journals -
MODEL FOR MEASUREMENT OF FLOW INSTALLATION TIME IN SDN SWITCH
PublicationSDN is the approach in telecommunication networks that separates control plane from data forwarding plane by specifying a single network entity as a controller that defines rules (called flows) of traffic forwarding for the switches connected to it. The time that is required for installation of these rules might be a hindrance for the overall performance of SDN network. In the paper, a model for testing and evaluating the influence...
-
Open porosity and oven-dry density of concretes containing magnetite aggregate (M0-M100) mixes
Open Research DataRaw data for determination of open porosity and oven-dry densities of concretes containing different amount of magnetite aggregate (M0-M100) mixes. Sample designation is related to the publication associated with dataset.
-
Material characterisation of biaxial glass-fibre non-crimp fabrics as a function of ply orientation, stitch pattern, stitch length and stitch tension
PublicationDue to their high density-specific stiffnesses and strength, fibre reinforced plastic (FRP) composites are particularly interesting for mobility and transport applications. Warp-knitted non-crimp fabrics (NCF) are one possible way to produce such FRP composites. They are advantageous because of their low production costs and the ability to tailor the properties of the textile to the reinforcement and drape requirements of the application....
-
Performance Evaluation of a 650V E-HEMT GaN Power Switch
PublicationGaN power switches have better characteristics compared to the state-of-the-art Si power transistors. These devices offer high operating temperature and current densities, fast switching and low on-resistance. However, currently only a few producers offer technology of high voltage GaN transistors. Immaturity of this technology is the reason why experimental evaluation of GaN parameters must be performed to properly exploit their...