Search
Naturalny diament jest izolatorem, więc istotnym elementem dla uzyskania struktur półprzewodnikowych z diamentu jest domieszkowanie. Niestety domieszkowanie diamentu ze względu na jego wysoką gęstość jest utrudnione. Procesy domieszkowania można realizować w trybie in-situ podczas wzrostu lub ex-situ poprzez implantację jonów. Obie metody wprowadzają defekty do uzyskanych warstw diamentowych. Szczególnie niszcząca jest implantacja, która wymaga bardzo wysokich energii, co wyklucza możliwość stosowania takich warstw np. w mikro- i optoelektronice. Niższe zdefektowanie półprzewodnikowych warstw diamentowych powoduje domieszkowanie in-situ ale uzyskanie przewodnictwa typu n jest obecnie nieefektywne i intensywnie badane przez różne zespoły na świecie.
Details
- Financial Program Name:
- MINIATURA
- Organization:
- Narodowe Centrum Nauki (NCN) (National Science Centre)
- Agreement:
- DEC-2017/01/X/ST7/02045 z dnia 2018-02-10
- Realisation period:
- 2018-02-10 - 2019-02-09
- Project manager:
- dr hab. inż. Michał Sobaszek
- Realised in:
- Department of Metrology and Optoelectronics
- Project's value:
- 46 200.00 PLN
- Request type:
- National Research Programmes
- Domestic:
- Domestic project
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 297 times