Abstract

We wstępie rozprawy doktorskiej przedstawiono aktualny stan wiedzy dotyczący zagadnień szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych, w szczególności transoptorów. Następnie przedstawiono ocenę parametrów statycznych transoptorów oraz ocenę współczynnika CTR i hFE. Jeden rozdział poświęcono opisowi stanowiska pomiarowego, które wykorzystano do pomiarów szumów własnych diod transoptorów, fototranzystorów transoptorów oraz transoptorów. Przedstawiono również warunki pomiarów szumów własnych i przykłady oszacowywanych funkcji. W pracy zawarto analizę wyników pomiarów szumów diod LED transoptorów, fototranzystorów transoptorów i transoptorów należących do trzeciej klasy współczynnika CTR. Wyniki przedstawiono w dziedzinie czasu oraz w dziedzinie częstotliwości. Dokonano także analizy wyników pomiarów szumów czterech prób transoptorów należących do różnych klas. W jednym z rozdziałów opisany został schemat szumowy transoptora oraz zaproponowano szumowy model transoptora w programie typu PSpice. Model uwzględnia źródło szumów typu . Dodatkowo zaproponowano metodę składania widm służącą do identyfikacji składowych gaussowskiej i niegaussowskiej w szumach własnych transoptorów. Dodatkowo rozprawa zawiera opis dwóch prostych metod identyfikacji szumów wybuchowych w przyrządach półprzewodnikowych. Pierwsza metoda polega na analizie histogramu wartości chwilowych przebiegu szumowego badanego przyrządu, druga oparta jest na obrazie szumu badanego przyrządu uzyskanego metodą NSP. W ostatnim rozdziale zaprezentowano podsumowanie prac oraz najważniejsze wnioski.

Author (1)