Search
Abstract
W pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale tranzystora dla dwóch przypadków: braku i obecności pola magnetycznego.
Authors (5)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
no. T. 16,
pages 301 - 304,
ISSN: 1732-1166 - Language:
- Polish
- Publication year:
- 2008
- Bibliographic description:
- Panek M., Kordalski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Boratyński B.: Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 16., (2008), s.301-304
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 116 times