Search
BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC
Abstract
Tematem artykułu są badania wysokonapięciowegotranzystora z azotku galu typu E-HEMT w aplikacji przekształtnikaobniżającego napięcie typu buck. W pracy przedstawiono krótkącharakterystykę i zalety półprzewodników szerokoprzerwowych,a także opis tranzystora GS66508P-E03 w obudowie do montażupowierzchniowego (SMD). Następnie poruszono problemchłodzenia łącznika mocy SMD i przeprowadzono badanieporównawcze dwóch układów chłodzenia. Wykazano, żezaproponowany układ jest ponad dwa razy bardziej wydajny niżzalecany przez producenta. W głównej części opracowaniazaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przekształtnika.Osiągnięto sprawność > 92 % dla układu twardo przełączającegoo częstotliwości pracy 200 kHz. Tym samym potwierdzonomożliwość budowania wysokosprawnych przekształtnikówz tranzystorami GaN
Authors (3)
Cite as
Full text
- Publication version
- Accepted or Published Version
- License
-
open in new tab
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
pages 31 - 34,
ISSN: 1425-5766 - Language:
- Polish
- Publication year:
- 2015
- Bibliographic description:
- Czyż P., Cichowski A., Śleszyński W.: BADANIA EWALUACYJNE TRANZYSTORA 650 V E-HEMT GAN DO ZASTOSOWAŃW WYSOKOSPRAWNYCH PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC// Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej. -., nr. 47 (2015), s.31-34
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 103 times
Recommended for you
Enhancement of the Magnetoresistance in the Mobility‐Engineered Compensated Metal Pt 5 P 2
- A. H. Mayo,
- H. Takahashi,
- S. Ishiwata
- + 6 authors