Search
Abstract
Bazując na półempirycznym modelu wiązań kowalencyjnych w krzemie wyznaczono energie międzypowierzchni GaAs-Si. Obliczona energia międzypowierzchni GaAs-Si zależna jest od orientacji podłoża Si. Minimalna energia międzypowierzchniowa wyznacza odpowiednią konfigurację atomów w pobliżu powierzchni, która określa optymalne warunki heteroepitaksji GaAs na podłożach Si.
Authors (7)
-
Agata Zdyb
-
Dariusz Szymczuk
-
Jan Marian Olchowik
-
Janina Mucha
-
Krzysztof Zabielski
-
Marian Mucha
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Molecular Physics Reports
no. 36,
pages 145 - 149,
ISSN: 1505-1250 - Language:
- English
- Publication year:
- 2002
- Bibliographic description:
- Zdyb A., Szymczuk D., Olchowik J., Sadowski W., Mucha J., Zabielski K., Mucha M.: GaAs-Si interfacial energy determination// Molecular Physics Reports. -Vol. 36., (2002), s.145-149
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 138 times
Recommended for you
Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
- A. Zdyb,
- J. M. Olchowik,
- D. Szymczuk
- + 4 authors
2002