Year 2002

• Computer study of the lead-germanium alloy formation in over-reduced lead-germanate glass

  Publication

  • J. Rybicki
  • A. Witkowska
  • J. Bośko
  • G. Bergmański
  • G. Mancini
  • S. Feliziani

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Praca poświęcona jest badaniom dynamiczno-molekularnym struktury zredukowanego szkła ołowiowo-germanianowego o składzie 1Pb 1Ge 1GeO2. Analizie poddano strukturę matrycy szkła, GeO2 i osadzonej w niej fazy metalicznej, którą formują neutralne atomy Pb i Ge.

• Dependence of the charge carries photogeneration yield on the bimolecular recombination in tetracene layers

  Publication

  • M. Franz
  • J. Godlewski

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Badano mechanizmy generacji nośników ładunku dwóch znaków w warstwie tetracenu. Rezultaty pomiarów doświadczalnych oraz prowadzona analiza wykazały, że rekombinacja wpływa znacząco na produkcję nośników ujemnych.

• Electrical conductivity of reduced lead-germanate glasses

  Publication

  • K. Trzebiatowski
  • B. Kusz
  • W. Lizak
  • A. Witkowska

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Pewna grupa szkieł tlenkowych poddana procesowi redukcji w atmosferze gorącego wodoru wykazuje gwałtowne zmiany swoich właściwości elektrycznych i optycznych. Szkła ołowiowo-germanianowe, którym poświęcona jest niniejsza praca należą do takich szkieł i charakteryzują się szczególnymi redukcyjnie indukowanymi właściwościami. Wystarczająco długie wygrzewanie prowadzi bowiem do wzrostu przewodnictwa elektrycznego nawet o 12 rzędów...

• Experimental and theoretical study of protonated water cluster

  Publication

  • T. Wróblewski
  • J. Mechlińska-Drewko
  • E. Gazda
  • G. P. Karwasz

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Za pomocą metody rojowej zbadano powstanie i dryf dodatnio naładowanych klastrów wody H+(H20)n n=1-7. Oszacowano energie dysocjacji. Prace uzupełniają obliczenia kwantowe konfiguracji wybranych klastrów. Dokonano obliczeń kilkunastu konfiguracji zjonizowanych klastrów.

• GaAs-Si interfacial energy determination

  Publication

  • A. Zdyb
  • D. Szymczuk
  • J. M. Olchowik
  • W. Sadowski
  • J. Mucha
  • K. Zabielski
  • M. Mucha

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Bazując na półempirycznym modelu wiązań kowalencyjnych w krzemie wyznaczono energie międzypowierzchni GaAs-Si. Obliczona energia międzypowierzchni GaAs-Si zależna jest od orientacji podłoża Si. Minimalna energia międzypowierzchniowa wyznacza odpowiednią konfigurację atomów w pobliżu powierzchni, która określa optymalne warunki heteroepitaksji GaAs na podłożach Si.

• Influence of the annealing conditions on the resistivity of Nd2CuO4 singlecrystals

  Publication

  • T. Charikova
  • A. Ignatenkov
  • A. Ponomarev
  • A. Ivanov
  • T. Klimczuk
  • W. Sadowski

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  W pracy wyznaczono temperaturową zależność oporności w płaszczyźnie ab dla dwóch grup kryształów Nd2CuO4 w zakresie 50-300 K.

• Ionic conductivity in bismuth silicate glasses.

  Publication

  • K. Trzebiatowski
  • B. Kusz
  • L. Murawski
  • W. Lizak

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Zbadano właściwości elektryczne szkieł krzemianowo- bizmutowych zawierających 55 mol% tlenku bizmutu. Uzyskane wyniki potwierdzają jonowy charakter przewodnictwa, za które odpowiedzialne są jony tlenu.

• Modulated photocurrents in amorphuous solids uner varius experimwntal conditions

  Publication

  • P. J. Grygiel
  • W. Tomaszewicz
  • G. Wiśniewski

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Podobno przybliżone wzory opisujące modulowane fotoprądy mierzone w słaboprzewodzących próbkach o kanapkowym układzie elektrod. Pokazano wpływ zapełnienia pułapek, głębokości absorpcji światła i dyfuzji w próbce na teoretyczne przebiegi fotoprądów. Zamieszczono przykładowe krzywe fotoprądów, zmierzone w poli(N-winylokarbazolu) i otrzymane na ich podstawie energetyczne rozkłady gęstości pułapek dla dziur.

• Positron Annihilation Studies of Silicon Oxides and Oxygen Precipitates in Silicon

  Publication

  • W. Deng
  • B. Kusz
  • D. Pliszka
  • K. Trzebiatowski
  • M. Gazda
  • R. S. Brusa
  • G. P. Karwasz
  • A. Zecca

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Techniki pozytonowe dają możliwości badania defektów i zmian strukturalnych nie obserwowanych innymi metodami. W tej pracy zastosowano 3 różne techniki pozytonowe do badania zmian strukturalnych i tworzenia wydzieleń SiOx w krzemie.

• Spectral dependences of photocurrent of the aluminium-nickel phthalocyanine-tetracene-aluminium heterojunction

  Publication

  • R. Signerski
  • G. Jarosz
  • J. Godlewski

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Analizowano charakterystyki spectralne fotoprądu płynącego przez heterozłącze tetracen-ftalocyjanina niklu. Obserwowany fotoprąd jest prądem dziurowym generowanym w trzech obszarach: w pobliżu obu elektrod Al i międzypowierzchni tetracen-ftalocyjanina niklu.

• The bismuth atom neighbourhood in bismuth-silicate glasses from X-ray absorption experiment

  Publication

  • A. Witkowska
  • J. Rybicki
  • L. Murawski
  • C. A. Di

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  Praca zawiera wyniki strukturalnej analizy EXAFS lokalnego otoczenia atomów bizmutu w krystalicznym tlenku bizmutu (odmiana alfa) i w szklach bizmutowo-krzemianowych o składzie xBi2O3 (1-x)SiO2,x=0.3, 0.4, 0.5, 0.6. Analizę XA- FS realizowano w oparciu o metodę GNXAS. Otrzymane wyniki porównano z danymi literaturowym.

• Theoretical analysis of current induced by high-energetic radiation in dielectric materials

  Publication

  • M. Brzeska
  • J. Godlewski

  - Molecular Physics Reports - Year 2002

  W pracy poddano analizie mechanizmy generacji i rekombinacji nośników ładunku w obecności wysokoenergetycznego promieniowania. Przedstawiono zależności gęstości prądu elektrycznego od natężenia promieniowania i napięcia polaryzujacego próbkę.