Positron Annihilation Studies of Silicon Oxides and Oxygen Precipitates in Silicon

W. Deng; Bogusław Kusz; Damian Pliszka; Konrad Trzebiatowski; Maria Gazda; Roberto S. Brusa; Grzegorz P. Karwasz; Antonio Zecca

Positron Annihilation Studies of Silicon Oxides and Oxygen Precipitates in Silicon

Abstract

Techniki pozytonowe dają możliwości badania defektów i zmian strukturalnych nie obserwowanych innymi metodami. W tej pracy zastosowano 3 różne techniki pozytonowe do badania zmian strukturalnych i tworzenia wydzieleń SiOx w krzemie.

Authors (8)

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:: Molecular Physics Reports no. 36, pages 164 - 169,
ISSN: 1505-1250
Language:: English
Publication year:: 2002
Bibliographic description:: Deng W., Kusz B., Pliszka D., Trzebiatowski K., Gazda M., Brusa R., Karwasz G., Zecca A.: Positron Annihilation Studies of Silicon Oxides and Oxygen Precipitates in Silicon// Molecular Physics Reports. -Vol. 36., (2002), s.164-169
Verified by:: Gdańsk University of Technology