Wyszukiwarka
Abstrakt
Techniki pozytonowe dają możliwości badania defektów i zmian strukturalnych nie obserwowanych innymi metodami. W tej pracy zastosowano 3 różne techniki pozytonowe do badania zmian strukturalnych i tworzenia wydzieleń SiOx w krzemie.
Autorzy (8)
-
W. Deng
-
Damian Pliszka
-
Roberto S. Brusa
-
Grzegorz P. Karwasz
-
Antonio Zecca
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Molecular Physics Reports
nr 36,
strony 164 - 169,
ISSN: 1505-1250 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2002
- Opis bibliograficzny:
- Deng W., Kusz B., Pliszka D., Trzebiatowski K., Gazda M., Brusa R., Karwasz G., Zecca A.: Positron Annihilation Studies of Silicon Oxides and Oxygen Precipitates in Silicon// Molecular Physics Reports. -Vol. 36., (2002), s.164-169
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 100 razy