Injection of charge into the archetype organics hole transporting material TPD at the electrical contacts with ITO and Al
Abstract
W pracy zaprezentowano dokładną analizę charakterystyk polowo-prądowych jednowarstwowych układów kwarc/ITO/TPD/Al oraz kwarc/Al1/TPD/Al2, zawierających próżniowo naparowane warstwy pochodnej diaminy (TPD) używane powszechnie jako materiał przewodzący dziury w organicznych diodach elektroluminescencyjnych. Prądy są zdominowane przez iniekcję dziur niezależnie od polaryzacji kontaktów elektrycznych. Oprócz oczywistej asymetrii w przebiegach prądów dla polaryzacji ITO (+) i ITO (-), zaobserwowano wyraźną różnicę w przebiegu prądu dla spolaryzowanych Al1 (+) i Al2 (-). Otrzymane wyniki zostały zinterpretowane w oparciu o teorię prądu ograniczonego iniekcją ładunku oraz wzięciu pod uwagę rekombinację bimolekularną i elektrodową.
Authors (2)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Published in:
-
ORGANIC ELECTRONICS
no. 9,
pages 883 - 889,
ISSN: 1566-1199 - Language:
- English
- Publication year:
- 2008
- Bibliographic description:
- Kalinowski J., Szybowska K.: Injection of charge into the archetype organics hole transporting material TPD at the electrical contacts with ITO and Al// ORGANIC ELECTRONICS. -Vol. 9., nr. iss. 5 (2008), s.883-889
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 95 times
Recommended for you
Mobility measurements in oxide semiconductors
- E. Prociów,
- M. S. Łapiński,
- J. Domaradzki
- + 3 authors