Injection of charge into the archetype organics hole transporting material TPD at the electrical contacts with ITO and Al
Abstrakt
W pracy zaprezentowano dokładną analizę charakterystyk polowo-prądowych jednowarstwowych układów kwarc/ITO/TPD/Al oraz kwarc/Al1/TPD/Al2, zawierających próżniowo naparowane warstwy pochodnej diaminy (TPD) używane powszechnie jako materiał przewodzący dziury w organicznych diodach elektroluminescencyjnych. Prądy są zdominowane przez iniekcję dziur niezależnie od polaryzacji kontaktów elektrycznych. Oprócz oczywistej asymetrii w przebiegach prądów dla polaryzacji ITO (+) i ITO (-), zaobserwowano wyraźną różnicę w przebiegu prądu dla spolaryzowanych Al1 (+) i Al2 (-). Otrzymane wyniki zostały zinterpretowane w oparciu o teorię prądu ograniczonego iniekcją ładunku oraz wzięciu pod uwagę rekombinację bimolekularną i elektrodową.
Autorzy (2)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Opublikowano w:
-
ORGANIC ELECTRONICS
nr 9,
strony 883 - 889,
ISSN: 1566-1199 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2008
- Opis bibliograficzny:
- Kalinowski J., Szybowska K.: Injection of charge into the archetype organics hole transporting material TPD at the electrical contacts with ITO and Al// ORGANIC ELECTRONICS. -Vol. 9., nr. iss. 5 (2008), s.883-889
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 95 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Mobility measurements in oxide semiconductors
- E. Prociów,
- M. S. Łapiński,
- J. Domaradzki
- + 3 autorów