Wyszukiwarka
Abstrakt
Praca zawiera wyniki badań właściwości elektrycznych, optycznych i strukturalnych cienkich warstw ito i sno2. badania wykazały, że cienkie warstwy tlenków metali wykazują rezystywność charakterystyczną dla półprzewodników. poziom transmisji światła w zakresie widzialnym pozwala zaliczyć badane warstwy do materiałów przezroczystych. badane cienkie warstwy wykonano metodą rozpylania magnetronowego.
Autorzy (6)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Tytuł wydania:
- 33 International Conference of IMAPS - CPMT IEEE Poland/ International conference IMAPS-CPMT IEEE Poland strony 291 - 294
- Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2009
- Opis bibliograficzny:
- Prociów E., Łapiński M., Domaradzki J., Wojcieszak D., Sieradzka K., Berlicki T.: Mobility measurements in oxide semiconductors// 33 International Conference of IMAPS - CPMT IEEE Poland/ International conference IMAPS-CPMT IEEE Poland/ ed. eds. Piotr Kowalik, Krzysztof Waczyński. Kraków: International Microelectronics and Packaging Society - Poland, 2009, s.291-294
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 139 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Properties of nanocrystalline TiO2:V thin films as a transparent semiconducting oxides
- K. Sieradzka,
- J. Domaradzki,
- E. Prociów
- + 2 autorów
2009
Opis metody określania stopnia zwilżalności powierzchni cienkich warstw na przykładzie TiO2
- D. Wojcieszak,
- D. Kaczmarek,
- J. Domaradzki
- + 2 autorów
2009
Zautomatyzowane pomiary rezystywności i ruchliwości w tlenkach półprzewodnikowych SnO2
- M. S. Łapiński,
- J. Domaradzki,
- T. Berlicki
- + 1 autorów
2009