Search
Abstract
W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
Authors (5)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Language:
- Polish
- Publication year:
- 2004
- Bibliographic description:
- Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J., Dobrzański L.: Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.// . -., (2004), s.0-0
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 107 times
Recommended for you
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 authors
2008