Abstrakt
W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
Autorzy (5)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2004
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J., Dobrzański L.: Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.// . -., (2004), s.0-0
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 100 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 autorów
2008