Search
Abstract
Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie funkcji podziału prądu źródła tranzystora.
Authors (8)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Articles
- Type:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Published in:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
no. T. 14,
pages 665 - 674,
ISSN: 1732-1166 - Language:
- Polish
- Publication year:
- 2007
- Bibliographic description:
- Kordalski W., Boratyński B., Panek M., Polowczyk M., Zborowska-Lindert I., Ściana B., Szymański K., Woźniak J.: Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 14., (2007), s.665-674
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 138 times
Recommended for you
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
- W. Kordalski,
- M. Pribbenow,
- B. Boratyński
- + 4 authors
2008
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 authors
2008