Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (13)
Search results for: FLUKTUACJE MAŁOCZESTOTLIWOŚCIOWE
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Research Potential* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Katedra Budownictwa i Inżynierii Materiałowej
Research Potential* budownictwo ogólne i przemysłowe * materiały budowlane, chemia budowlana * konstrukcje drewniane i zespolone * remonty i modernizacje konstrukcji budowlanych oraz fizyka budowli
-
Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej
Research PotentialBadania realizowane przez pracowników Katedry obejmują w szczególności: zjawiska i procesy elektrochemiczne, podstawy korozji i zabezpieczenie przed korozją, inżynierię materiałowa, fizykochemię powierzchni. W Katedrze Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej realizowanych jest szereg kierunków związanych z badaniami podstawowymi jak i techniczno-technologicznymi. Głównymi obszarami działalności naukowej są: badania mechanizmu...
Other results Pokaż wszystkie wyniki (57)
Search results for: FLUKTUACJE MAŁOCZESTOTLIWOŚCIOWE
-
Low-frequency current noise in electrochromic devices
PublicationObserwowano szumy typu 1/f w elemencie wykazującym zjawisko elektrochromizmu - zmiany swoich parametrów optycznych (przezroczystości) pod wpływem przyłożonego napięcia. Element składał się z porowatej warstwy nanocząstek WO3 oraz tlenku Ni-V. Obserwowano gęstość widmową mocy prądu szumów, która zalezała liniowo od kwadratu prądu stałego I płynącego przez element. Stwierdzono, że intensywne przełączanie elementu między trybem przezroczystym...
-
Evaluation of foil capacitor nonlinearities and flucuations during manufacturingoszacowanie nieliniowości i fluktuacji kondensatorów foliowych w procesie produkcyjnym.
PublicationPrzedstawiono dwa podejścia do problemów niezawodności elementów elektronicznych. Opisano mierzone przeciwzakłóceniowe kondensatory foliowe produkowane przez MIFLEX (Kutno), zasadę i układ do pomiaru wskaźnika trzeciej harmonicznej sygnału pobudzającego oraz jego zależność od parametrów mierzonego elementu. Przedstawiono wyniki statystyczne pomiaru parametrów funkcjonalnych oraz trzeciej harmonicznej próbek tych kondensatorów przed...
-
Evaluation of foil capacitor nonlinearities and fluctuations during manufacturingOszacowanie nieliniowości i fluktuacji kondensatorów foliowych w procesie produkcyjnym
PublicationPrzeanalizowano nieliniowości i właściwości szumowe kondensatorów w celu ustalenie kryteriów testowania nieniszczącego i selekcji kondensatorów przeciwzakłóceniowych do różnych klas trwałości i niezawodności. Przedstawiono wybrane wyniki eksperymentalne pomiaru kondensatorów produkowanych przez ZR MIFLEX w Kutnie oraz koncepcję systemu pomiarowego przeznaczonego do implementacji tych pomiarów w procesie produkcyjnym.
-
Gas sensing by thermoelectric voltage fluctuations in SnO2 nanoparticle films
PublicationPrzedstawiono eksperymentalne wyniki wykrywania gazów za pomocą badania fluktuacji napięcia termoelektrycznego w warstwie SnO2 przygotowanej z jednorodnych ziaren o średnicy 20 nm. Obserwowano fluktuacje napięcia bez zewnętrznej polaryzacji warstwy SnO2. Intensywność obserwowanych fluktuacji przekraczała 1000-krotnie intensywność szumów termicznych. Obserwowane zjawisko może byc wykorzystane do zwiększenia czułości wykrywania...
-
Fluctuation phenomena in semiconductor gas sensors
PublicationCzujniki gazu mogą być wytwarzane z cienkiej warstwy półprzewodnika, która po podgrzaniu do odpowiedniej temperatury staje się czuła na gaz. Zjawisko to jest dobrze znane i szeroko opisane w literaturze. Jako wskaźnik detekcji gazu wykorzystuje się zmianę rezystancji stałoprądowej czujnika. Zwiększenie czułości i, co najważniejsze z praktycznego punktu widzenia, selektywności dyskryminacji można uzyskać jeśli warstwa półprzewodnika...