Filters
total: 133
Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (102)
Search results for: SEMICONDUCTOR DEVICE MODELING
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Research Potential* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Zespół Inżynierii Biomedycznej
Research PotentialInżynieria biomedyczna stanowi nową interdyscyplinarną dziedzinę wiedzy zlokalizowaną na pograniczu nauk technicznych, medycznych i biologicznych. Według opinii WHO (World Health Organization) można ją zaliczyć do głównych (obok inżynierii genetycznej) czynników decydujących o postępie współczesnej medycyny. Rosnące znaczenie kształcenia w zakresie INŻYNIERII BIOMEDYCZNEJ wynika z faktu, że specjaliści tej dyscypliny są potrzebni...
-
Zespół organicznych ogniw fotowoltaicznych i fotodetektorów
Research PotentialTematyka badawcza Zespołu OOFiF związana jest z własnościami fotowoltaicznymi wielowarstwowych układów zbudowanych z organicznych i nieorganicznych warstw nanoszonych techniką próżniową lub z roztworu.
Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (31)
Search results for: SEMICONDUCTOR DEVICE MODELING
-
Laboratorium Materiałów Optoelektronicznych Innowacyjnych Materiałów i Displejów – Centrum Zaawansowanych Technologii
Business OfferStanowisko do optycznych nieinwazyjnych badań właściwości i charakteryzacji materiałów i elementów pozwalające na optymalizację technologii ich wytwarzania i rozszerzenie domeny ich zastosowań z wykorzystaniem:; • optycznej tomografii koherentnej – jest to metoda umożliwiająca nieinwazyjne badania cienkich warstw i elementów,; • spektroradiometrii – jest to metoda umożliwiająca badania właściwości displejów, źródeł światła i elementów...
-
Środowiskowe Laboratorium Technologii Bezprzewodowych
Business OfferŚrodowiskowe Laboratorium Technologii Bezprzewodowych powstało w ramach realizacji projektu CZT Centrum Zaawansowanych Technologii POMORZE i mieści się w Katedrze Inżynierii Mikrofalowej i Antenowej na Wydziale Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej. Laboratorium zostało wyposażone w specjalistyczne zaplecze aparaturowe, które w połączeniu z kompetencjami naukowymi i technologicznymi kadry pozwala na...
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Business OfferZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
Other results Pokaż wszystkie wyniki (2384)
Search results for: SEMICONDUCTOR DEVICE MODELING
-
Operation of an ultra short fuse shunted by a semiconductor device: simulation and experiments.
PublicationW artykule przedstawiono ideę działania i wymagane cechy ultraszybkiego bezpiecznika w ograniczniku hybrydowym z równoległym elementem półprzewodnikowym. Eksperyment i modelowanie działanie bezpiecznika przeprowadzono dla spodziewanego prądu zwarciowego 2 kA. Symulacje wykonano przy użyciu programu polowego FLUX. Jego zastosowanie do modelowania ultrakrótkich bezpieczników zostało również przedstawione.
-
Assessment of the Reliability of Wind Farm Device on the Basis of Modeling Its Operation Process
Publication -
A simplified behavioral MOSFET model based on parameters extraction for circuit simulations.
PublicationThe paper presents results on behavior modeling of general purpose Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady-state and in switching conditions. Methods of parameters extraction including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics are based on manufacturer data sheet and externally measurable characteristics....
-
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
PublicationDynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the...
-
Numerical modeling of exciton impact in two crystalographic phases of the organo-lead halide perovskite (CH3NH3PbI3) solar cell
PublicationTo improve the power conversion efficiency of solar cells based on organo–lead halide perovskites, a detailed understanding of the device physics is fundamental. Here, a computational analysis of excitons impact is reported for these types of photocell. Numerical calculations based on the model, which take into account electronic charge carriers (electrons and holes), excitons and ions, have been carried out. The role of excitons...