Filters
total: 12
Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (10)
Search results for: SILICON NITRIDE
-
Zespół Metrologii i Optoelektroniki
Research Potential* komputerowo wspomagana metrologia i diagnostyka * projektowanie systemów * mikrosystemów i makrosystemów elektronicznych * testowanie i diagnostyka elektroniczna * pomiary właściwości szumowych i zakłóceń * spektroskopia impedancyjna * telemetria i telediagnostyka internetowa * katedra redaguje Metrology and Measurement Systems * kwartalnik PAN znajdujący się na liście JCR
-
Katedra Aparatury i Maszynoznawstwa Chemicznego
Research Potential* zasobów, możliwości pozyskania, konwersji, magazynowania i transportu energii ze źródeł odnawialnych, w tym energii słonecznej i biopaliw * możliwości odzyskiwania energii odpadowej w procesach przemysłowych i sposoby jej zagospodarowania * opracowanie procesów technologicznych recyklingu materiałowego zużytych modułów i ogniw fotowoltaicznych * opracowanie procesów technologicznych recyklingu materiałowego zużytych opon samochodowych *...
-
Zespół Fizyki Ciała Stałego
Research PotentialTematyka badawcza Katedry Fizyki Ciała Stałego obejmuje wytwarzanie i badanie materiałów dla energetyki (m.in. nanostruktury, sensory) o innowacyjnych właściwościach fizyko-chemicznych, tj: * kryształy, polikryształy, ceramika, szkło * materiały objętościowe, cienkie warstwy, nanomateriały * materiały metaliczne, półprzewodnikowe, nadprzewodnikowe, izolatory Tematyka badawcza obejmuje również badania symulacyjne i obliczeniowe...
Best results in : Business Offer Pokaż wszystkie wyniki (2)
Search results for: SILICON NITRIDE
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
Business OfferZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...
-
Laboratorium Źródeł Energii w Katedrze Konwersji i Magazynowania Energii
Business Offer
Other results Pokaż wszystkie wyniki (12)
Search results for: SILICON NITRIDE
-
The influence oil additives on spread cracks in silicon nitride
PublicationThe paper presents an experimental study of the influence of oil additives (Cl, S, P, cerium dioxide (CeO2)) on spread cracks in silicon nitride. The additives Cl, S, P are bound in molecules in liquid form soluble in the base oil. The CeO2 is purely in powder form in suspension. The use of CeO2 powder was made based on the good results of polishing of silicon nitride. A ceramic angular contact ball bearing was modelled using a...
-
Influence of dispersed phase content on the mechanical properties of electroless nanocomposite Ni-P/Si3N4 and hybrid Ni-P/Si3N4/graphite layers deposited on the AW-7075 alloy.
PublicationThe article presents the results of mechanical testing of Ni-P/Si3N4 nanocomposite and hybrid Ni-P/Si3N4/graphite coatings deposited on AW-7075 aluminum alloy using the chemical reduction method. In terms of mechanical testing, microhardness was measured, and surface roughness and adhesion of the coatings to the aluminum substrate were determined using the “scratch test” method. The surface morphology of the deposited layers was...
-
Implementation of SiN thin film in fiber-optic sensor working in telecommunication range of wavelengths
PublicationMirrors are used in optical sensors and measurement setups. This creates a demand for mirrors made of new materials and having various properties tailored to specific applications. In this work, we propose silicon covered with a thin silicon nitride layer as a mirror for near-infrared measurements. SiN layer was deposited on a standard silicon wafer with a Low-Pressure Chemical Vapor Deposition furnace. Then, the created layer...
-
Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
PublicationThe new technology of wide band gap semiconductors is said to outperform up-to-date silicon devices. High voltage Gallium Nitride (GaN) transistors, now emerging in the market, have even three times shorter switching times and even four times smaller energy losses compared to the best in-class Si devices. In this paper the performance of a 650 V GaN SSFET is evaluated and compared with the newest silicon family of CoolMOS™ technology....
-
Surface quality control of a thin SiN layer by optical measurements
PublicationFiber optic interferometers have a wide range of applications, including biological and chemical measurements. Nevertheless, in the case of a reflective interferometer setup, standard silver mirrors cannot be used in every measurement, due to their chemical activity. This work investigates the surface quality of a thin optical layer of silicon nitride (SiN), which can serve as an alternative material for silver mirrors. We present...