Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (1)
Search results for: WĘGLIK KRZEMU
-
Zespół Projektowania i Automatyzacji Procesów Technologicznych
Research PotentialProjektowanie procesów technologicznych wspomaganych komputerowo
Other results Pokaż wszystkie wyniki (12)
Search results for: WĘGLIK KRZEMU
-
Badanie właściwości elementów mocy z węglika krzemu w zastosowaniach układowych
PublicationW artykule prezentowane są wyniki badania właściwości elementów SiC w zastosowaniach układowych. Do celów pomiarowych zaprojektowano układ przetwornicy realizujący konfigurację buck oraz boost z elementami aktywnymi z SiC oraz z krzemu, jako elementami referencyjnymi. Układ przetwornicy był badany dla różnych zestawów elementów, konfiguracji i parametrów pracy.
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublicationPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
PublicationPrzedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottky'ego produkcji CREE i 2 prób diod Schottky'ego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V
-
Low Frequency Noise Measurement of Reverse Polarized Silicon Carbide Schottky Diodes
PublicationW artykule przedstawiono wyniki pomiaró szumów cz. wstecznie spolaryzowanych diod Schottky'ego.
-
The Low-frequency Noise of SiC MESFETs
PublicationPrzedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.