W publikacji przedstawiono sposób syntezy, analizę dyfrakcji rentgenowskiej (xrd) i badania podatności magnetycznej tzw. podwójnych związków perowskitowych La2NiVO6, La2CoVO6 i La2CoTiO6. Badane związki są półprzewodnikami ze stosunkowo wąską szerokością przerwy energetycznej dla La2NiVO6, La2CoVO6 i nieznacznie powyżej 1 eV powyżej La2CoTiO6.

We propose an analytical model of the photocurrent efficiency dependence on the light intensity in organic semiconductors. The influence of the thickness of sample, space charge effects and recombination of charge on the loss of photocurrent has been considered. We demonstrate that the presented model is the enhancement of an analytical model reported recently by Rappaport et al (2005 J. Appl. Phys. 98 033714). The method to identify...

Praca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations...

Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.