Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (3)
Search results for: rezystory
-
Zespół Inżynierii Mikrofalowej i Antenowej
Research PotentialSpecjalność badawcza KIMiA wiąże się z techniką b.w.cz. i dotyczy zakresu częstotliwości od setek megaherców do kilkudziesięciu gigaherców. Przedmiotem badań teoretycznych (analiza, synteza, symulacja i modelowanie komputerowe,) oraz eksperymentalnych są elementy (prowadnice, sprzęgacze, rozgałęzienia) oraz układy pasywne (cyrkulatory, przesuwniki fazy, obciążenia, tłumiki) i aktywne (wzmacniacze, mieszacze, powielacze, modulatory),...
-
Katedra Inżynierii Elektrycznej Transportu
Research Potential* Diagnostyka techniczna i monitoring w systemach transportu zelektryfikowanego * Metody diagnostyki technicznej i monitoringu odbieraków prądu oraz górnej sieci trakcyjnej, w szczególności metody wizyjne * Modele matematyczne i symulacyjne odbieraków prądu i górnej sieci trakcyjnej * Modelowanie i analiza elektrotrakcyjnych układów zasilania * Modelowanie i sterowanie napędami elektrycznymi pojazdów * Redukcja zużycia energii...
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Research Potential* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
Other results Pokaż wszystkie wyniki (6)
Search results for: rezystory
-
Analiza czasowa pasywnych układów mikrofalowych o dużej dobroci.**2003, 186s. 72 rys. maszyn. Rozprawa doktorska /15.04.2003./ Wydz. ETI Promotor: prof. dr hab. inż. M. Mrozowski.
PublicationCelem niniejszej pracy było zaproponowanie szeregu kryteriów pozwalającychna automatyczne tworzenie dużej wiarygodności modeli sygnałów, uzyskiwanychza pośrednictwem metod analizy układów mikrofalowych w dziedzinie czasu, jakrównież opracowanie definicji funkcji celu umożliwiających projektowaniefiltrów pasmowo-przepustowych w oparciu o analizę układów metodą FD-TD orazwykazanie skuteczności techniki automatycznej kreacji...
-
New trim configurations for laser trimmed thick-film resistors - theoretical analysis, numerical simulation and experimential verification
PublicationW pracy przedstawiono nowe podejście do korekcji rezystorów warstwowych polegające na wytwarzaniu dodatkowego kontaktu w celu rozszerzenia zakresu korekcji i uproszczenia projektowania. Ponadto zaprezentowano nową szybką metodę wyznaczania charakterystyk korekcyjnych a także weryfikację eksperymentalną. Przedstawiono wyniki w postaci zakresów korekcji i względnych przyrostów rezystancji w funkcji kształtu dodatkowego kontaktu oraz...
-
Thick - film and LTCC multicontact resistors - preliminary results
PublicationW artykule zaprezentowano i skomentowano wstępne wyniki elektryczxnych i geometrycznych charakterystyk wielokontaktowychstruktur rezystywnych wykonanych w technologiigrubowarstwowej i LTCC ( ceramicznej z niską temperatura wypadaniz). Realizowane struktury miały rozmiary od 200 x 100 μm2 do 1500 x 500 μm2 i 3 lub 6 kontaktów rozmieszczonych e różny sposób na obwodzie warstwy rezystywnej.
-
Investigation of the double isolator using three-strip Ferrite Coupled Line
PublicationArtykuł prezentuje badania izolatora skonstruowanego z sekcji trój-paskowej ferrytowej linii sprzężonej. Element został zaprojektowany na dwa sposoby: jako kaskadowe połączenie dwóch cyrkulatorów oraz jako struktura planarna zawierająca rezystory. Izolator zbadano teoretycznie i eksperymentalnie.
-
Rezystor aktywny CMOS oraz jego zastosowanie do budowy wzmacniacza transkonduktancyjnego.
PublicationRezystory aktywne są szeroko stosowane w układach analogowych. Jednym z bardzo ważnych zastosowań jest ich użycie jako elementu linearyzującego stałoprądowe charakterystyki przejściowe wzmacniacza różnicowego wykonanego w postaci pary tranzystorów MOS. W niniejszym artykule przedstawiono w pełni różnicowy, aktywny rezystor MOS. Składa się on z dwóch tranzystorów MOS oraz dwóch nieuziemionych źródeł napięciowych. Jako wykorzystanie...