Best results in : Research Potential Pokaż wszystkie wyniki (2)
Search results for: isfet
-
Zespół Systemów Mikroelektronicznych
Research Potential* projektowania I optymalizacji układów i systemów mikroelektronicznych * zaawansowane metody projektowania i optymalizacji analogowych filtrów aktywnych * programowanie układów scalonych (FPGA, CPLD, SPLD, FPAA) * układy specjalizowane ASIC * synteza systemów o małym poborze mocy * projektowanie topografii układów i zagadnień kompatybilności elektromagnetycznej * modelowania przyrządów półprzewodnikowych * modelowania właściwości...
-
Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych
Research Potential* Modelowania, projektowania i symulacji przekształtników energoelektronicznych * Sterowania i diagnostyki przekształtników energoelektronicznych * Kompatybilności elektromagnetycznej przekształtników i regulowanych napędów elektrycznych * Jakości energii elektrycznej * Modelowania, projektowania i diagnostyki maszyn elektrycznych i transformatorów * Projektowania czujników i silników piezoelektrycznych * Technik CAD i CAE dla...
Other results Pokaż wszystkie wyniki (10)
Search results for: isfet
-
Stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET
PublicationOpracowano stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET. Proponowany układ utrzymuje właściwy punkt pracy czujnika poprzez ustalenie konduktancji stałoprądowej dren źródło. Poprzez zastosowanie mostka rezystancyjnego oraz odjęcie połowy napięcia dren-źródło od napięcia bramka-źródło osiągnięto niewrażliwość układu na niestabilność źródeł prądowych czy napięciowych. Zbędne stało się stosowanie precyzyjnych źródeł prądowych...
-
Excitation-independent constant conductance isfet driver
PublicationA new constant conductance driver for ISFETs sensors has been developed. The proposed circuit maintains the sensor operating point at constant drain-source conductance. The combination of a simple, self-balancing resistance bridge and the subtraction half (or similar fraction) of source-drain voltage from the gate-source voltage provides the independence of output signal from current and voltage drivers instability. The use of...
-
Zastosowanie przetworników jonoczułych typu isfet w bezprzewodowych sieciach sensorowych
PublicationW pracy przedstawiono zasadę działania pH-metrycznych czujników ISFET, ich istotne układy pracy oraz wady i zalety w analizie elektrochemicznej w środowiskach wodnych i niewodnych. Określono wymagania dla przetworników pracujących w warunkach polowych, poza laboratorium. Przedstawiono technologię bezprzewodowych sieci sensorowych. Zaproponowano układ węzła sensorowego ze skompensowanym termicznie różnicowym przetwornikiem ISFET...
-
Measurement of sub-nanometer molecular layers with ISFET without a reference electrode dependency
PublicationA new method of detection and measurement with sub-nanometer resolution of layers adsorbed or bonded to the ISFET's gate dielectric was presented. The sensitivity of this method is high enough to detect even partial mono-layer covering. The transconductance measurement of the ISFET provides independence of the output signal from pH changes and the driving electrode electrochemical potential instabilities. The stable reference electrode...
-
Performance Comparison of a 650 V GaN SSFET and CoolMOS
PublicationThe new technology of wide band gap semiconductors is said to outperform up-to-date silicon devices. High voltage Gallium Nitride (GaN) transistors, now emerging in the market, have even three times shorter switching times and even four times smaller energy losses compared to the best in-class Si devices. In this paper the performance of a 650 V GaN SSFET is evaluated and compared with the newest silicon family of CoolMOS™ technology....