prof. dr hab. inż. Michał Polowczyk
Publications
Filters
total: 9
Catalog Publications
Year 2007
-
Horizontally-split-drain MAGFET - a highly sensitive magnetic field sensor
PublicationWe propose a novel magnetic field sensitive semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Magnetic-Field Sensitive Field-Effect Transistor (HSDMAGFET) which can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. Operating principle of the transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE) and is very similar to that of Popovic and Baltes's SDMAGFET. The...
-
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
PublicationZaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...
Year 2006
-
Sterowane elektrycznie pojemności stosowane w mikroelektronice
PublicationPraca prezentuje aktualny stan wiedzy o stosowanych w mikroelektronice elektrycznie sterowanych zmiennych pojemnościach. Omawiana jest budowa i podstawowe charakterystyki trzech rodzajów takich pojemności: diodowych (złączowych), MEMS i BST na podstawie przeglądu publikacji naukowych z lat 1964-2004.
-
XLVII-lecie pracy naukowo-dydaktycznej profesora Rromualda Zielonko
PublicationPrzedstawiono biografię naukową oraz przegląd dorobku dydaktycznego i organizacyjnego Profesora Romualda Zielonko, profesora zwyczajnego, byłego Prodziekana ds. Naukowych, aktualnie Kierownika Katedry Metrologii i Systemów Elektronicznych, którego cała działalność zawodowa związana jest z Wydziałem Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki Politechniki Gdańskiej.
Year 2004
-
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
PublicationW artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
-
Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.
PublicationPrzedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...
Year 2003
-
Tranzystory organiczne
PublicationW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
Year 2002
-
Internal friction in FePd alloy during ordering
PublicationStwierdzono występowanie wysokiego poziomu tarcia wewnętrznego w zahartowanym stopie FePd (50% at. Pd). Zbadano proces uporządkowania atomowego w korelacji ze zmianami tarcia wewnętrznego defektu modułu i relaksacji magnetycznej stopu porządkującego się podczas nagrzewania do 900 K. Zaobserwowano efekt prędkości nagrzewania na punkt Curie.
-
Półprzewodniki organiczne
PublicationW artykule przedstawiono zwięzły podział półprzewodników organicznych oraz opis zasadniczych właściwości i parametrów elektrycznych istotnych dla zastosowań elektronicznych. Omówiono koncepcje przewodnictwa elektrycznego i fotoprzewodnictwa półprzewodników organicznych.
seen 736 times