Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.

Wiesław Kordalski; Michał Polowczyk

Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.

Abstract

Przedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej może być nawet 1000 razy większa od analogicznej czułości czujnika Popovic'a i Baltes'a.

Authors (2)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Michał Polowczyk prof. dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Language:: Polish
Publication year:: 2004
Bibliographic description:: Kordalski W., Polowczyk M.: Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.// / : , 2004,
Verified by:: Gdańsk University of Technology