Search
Search results for: CZUJNIKI PÓŁPRZEWODNIKOWE
-
Wpływ starzenia termicznego na właściwości elektryczne cienkich warstw TiO2:Nb oraz TiO2:(Co, Pd), jako materiału na półprzewodnikowe czujniki gazu.
PublicationZaobserwowany w ostatnich latach dynamiczny rozwój nowej dziedziny nauki, jaką jest transparentna elektronika, spowodował zintensyfikowanie badań, mających na celu odkrycie i charakteryzację nowych materiałów, w szczególności opartych na tlenkach metali. Współcześnie tlenki zaczęły niekiedy wypierać typowe materiały półprzewodnikowe. Szczególnie interesująca wydaje się perspektywa wykorzystania tlenków metali w czujnikach jako...
-
A current-controlled FET
PublicationA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...
-
Monitoring and efficiency assessment of biofilter air deodorization using electronic nose prototype
PublicationBiofiltration is one of the techniques used to reduce odorants in the air. It is based on the aerobic degradation of pollutants by microorganisms located in the filter bed. The research presents the possibility of using the electronic nose prototype for monitoring and efficiency assessment of air biofiltration. The study was conducted using model gas mixtures containing representatives of three groups of chemical compounds: n-hexane...
-
Wytwarzanie i charakteryzacja rezystancyjnych czujników tlenu z wykorzystaniem SrTi0.65Fe0.35O3
PublicationW pracy przedstawiono wstępne wyniki konstrukcji czujnika wykonanego z domieszkowanego żelazem tytanianu strontu. Przygotowano dwa różne rodzaje czujników: w postaci pastylki ceramicznej oraz w postaci warstwy na podłożu alundowym. W szczególności czujnik przygotowany niskotemperaturową metodą prekursorów polimerowych okazał się mieć zadowalające właściwości. Maksymalna temperatura syntezy dla tego czujnika wynosiła 920°C, dzięki...
-
Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.
PublicationPrzedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej...