Wyszukiwarka
Abstrakt
Przedstawiono nową konstrukcję tranzystora polowego typu MOS, który może być wykorzystany do pomiaru lub detekcji pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych i nie różni się od zasady działania znanego z literatury przedmiotu tranzystora SD MAGFET. Jednak dzięki oryginalnej konstrukcji, przewidywana czułość nowego tranzystora na zmianę wartości indukcji magnetycznej może być nawet 1000 razy większa od analogicznej czułości czujnika Popovic'a i Baltes'a.
Autorzy (2)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2004
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Polowczyk M.: Tranzystorowy czujnik pola magnetycznego.// / : , 2004,
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 55 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
- W. Kordalski,
- M. Polowczyk,
- J. Czerwiński
- + 2 autorów
2004
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 autorów
2008
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
- W. Kordalski,
- M. Pribbenow,
- B. Boratyński
- + 4 autorów
2008