Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

Wiesław Kordalski; Michał Polowczyk; Janusz Czerwiński; Jerzy Dzierżko; Lech Dobrzański

Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

Abstract

W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.

Authors (5)

Wiesław Kordalski dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Michał Polowczyk prof. dr hab. inż.
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Janusz Czerwiński
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Jerzy Dzierżko
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology
Lech Dobrzański
- Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics
- Gdańsk University of Technology

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Articles
Type:: artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Language:: Polish
Publication year:: 2004
Bibliographic description:: Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J., Dobrzański L.: Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.// . -., (2004), s.0-0
Verified by:: Gdańsk University of Technology