Mobility measurements in oxide semiconductors - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Mobility measurements in oxide semiconductors

Abstract

Praca zawiera wyniki badań właściwości elektrycznych, optycznych i strukturalnych cienkich warstw ito i sno2. badania wykazały, że cienkie warstwy tlenków metali wykazują rezystywność charakterystyczną dla półprzewodników. poziom transmisji światła w zakresie widzialnym pozwala zaliczyć badane warstwy do materiałów przezroczystych. badane cienkie warstwy wykonano metodą rozpylania magnetronowego.

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Conference activity
Type:
publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Title of issue:
33 International Conference of IMAPS - CPMT IEEE Poland/ International conference IMAPS-CPMT IEEE Poland strony 291 - 294
Language:
English
Publication year:
2009
Bibliographic description:
Prociów E., Łapiński M., Domaradzki J., Wojcieszak D., Sieradzka K., Berlicki T.: Mobility measurements in oxide semiconductors// 33 International Conference of IMAPS - CPMT IEEE Poland/ International conference IMAPS-CPMT IEEE Poland/ ed. eds. Piotr Kowalik, Krzysztof Waczyński. Kraków: International Microelectronics and Packaging Society - Poland, 2009, s.291-294
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 95 times

Recommended for you

Meta Tags