Search
Abstract
Praca zawiera wyniki badań właściwości elektrycznych, optycznych i strukturalnych cienkich warstw ito i sno2. badania wykazały, że cienkie warstwy tlenków metali wykazują rezystywność charakterystyczną dla półprzewodników. poziom transmisji światła w zakresie widzialnym pozwala zaliczyć badane warstwy do materiałów przezroczystych. badane cienkie warstwy wykonano metodą rozpylania magnetronowego.
Authors (6)
Cite as
Full text
full text is not available in portal
Keywords
Details
- Category:
- Conference activity
- Type:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Title of issue:
- 33 International Conference of IMAPS - CPMT IEEE Poland/ International conference IMAPS-CPMT IEEE Poland strony 291 - 294
- Language:
- English
- Publication year:
- 2009
- Bibliographic description:
- Prociów E., Łapiński M., Domaradzki J., Wojcieszak D., Sieradzka K., Berlicki T.: Mobility measurements in oxide semiconductors// 33 International Conference of IMAPS - CPMT IEEE Poland/ International conference IMAPS-CPMT IEEE Poland/ ed. eds. Piotr Kowalik, Krzysztof Waczyński. Kraków: International Microelectronics and Packaging Society - Poland, 2009, s.291-294
- Verified by:
- Gdańsk University of Technology
seen 144 times
Recommended for you
Properties of nanocrystalline TiO2:V thin films as a transparent semiconducting oxides
- K. Sieradzka,
- J. Domaradzki,
- E. Prociów
- + 2 authors
2009
Opis metody określania stopnia zwilżalności powierzchni cienkich warstw na przykładzie TiO2
- D. Wojcieszak,
- D. Kaczmarek,
- J. Domaradzki
- + 2 authors
2009
Zautomatyzowane pomiary rezystywności i ruchliwości w tlenkach półprzewodnikowych SnO2
- M. S. Łapiński,
- J. Domaradzki,
- T. Berlicki
- + 1 authors
2009