Search results for: MESFET

• Magnetic field microsensor based on GaAs MESFET

  Publication

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • B. Ściana
  • I. Zborowska-Lindert
  • M. Tłaczała

  - Year 2007

  A novel concept of the drain separation design in a horizontally-split-drain GaAs MAGFET sensor, based on epitaxial layer growth, was developed. Proper choice of GaAs/AlAs/GaAs epitaxial layer sequence provided good electrical isolation between the drain regions. The measured leakage current between the drain regions was in the range of nA for up to 2V drain voltage bias difference. Performed analytical and numerical calculations...

• Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu

  Publication

  • A. Konczakowska
  • J. A. Cichosz

  - Year 2010

  Tranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...

• Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

  Publication

  • J. A. Cichosz
  • B. Stawarz-Graczyk
  • A. Szewczyk

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2010

  Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną...

• The Low-frequency Noise of SiC MESFETs

  Publication

  • J. A. Cichosz
  • A. Konczakowska

  - Year 2009

  Przedstawiono system do pomiaru szumów małoczestotliwościowych tranzystorów SiC MESFET oraz przykładowe wyniki pomiarów.

• The Low Frequency Noise Behaviour of SiC MESFETs

  Publication

  • A. Konczakowska
  • J. A. Cichosz
  • D. Dokupil
  • P. Flisikowski
  • A. Szewczyk
  • B. Stawarz-Graczyk

  - Year 2011

• Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego

  Publication

  • M. Panek
  • W. Kordalski
  • B. Ściana
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Boratyński

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2008

  W pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale...