Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC

Abstract

Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną dla tych samych przebiegów funkcją koherencji (dziedzina częstotliwości).

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Articles
Type:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Published in:
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne no. T. 19, pages 459 - 464,
ISSN: 1732-1166
Language:
Polish
Publication year:
2010
Bibliographic description:
Cichosz J., Stawarz-Graczyk B., Szewczyk A.: Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 19., nr. nr 8 (2010), s.459-464
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 52 times

Recommended for you

Meta Tags